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- IR推出TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列
- 点击次数： 更新时间:2012-12-13 19:12:35
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近日，全球功率半导体和管理方案领导厂商的国际整流器公司 (Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用
在N和P通道配置中，该新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用，提供的最大导通电阻 (Rds(on)) 低达8mΩ。TO-220 fullpak封装无需额外的绝缘硬件，所以能够简化设计和提高整体系统可靠性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新MOSFET系列基于IR已被验证的平面技术，采用TO-220 fullpak封装，在线性模式和汽车应用中都表现良好，这其中需要坚固耐用且可靠的MOSFET来驱动高电感负载。”
所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过20%。然而，经过延长测试后，IR的新AU物料单在5,000次温度循环时的最大导通电阻变化低于10%，体现了该物料单的高强度和耐用性。
新器件符合AEC-Q101标准，所采用的材料环保、不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
产品规格
标准栅极驱动
器件编号
封装
V(BR)DSS(V)
10VGS时的最大导通电阻(mΩ)
TC为25°C时的ID最大值(A)
10VGS时的QG典型值(nC)
AUIRFI3205
TO-220 FullPak
55
8.0
56
113
AUIRFIZ44N
TO-220 FullPak
55
24
28
43
AUIRFIZ34N
TO-220 FullPak
55
40
19
23
AUIRFI4905
TO-220 FullPak
-55
20
-74
120
逻辑电平栅极驱动
器件编号
封装
V(BR)DSS(V)
4.5VGS时的最大导通电阻(mΩ)
TC为25°C时的ID最大值(A)
4.5VGS时的QG典型值(nC)
AUIRLI2505
TO-220 FullPak
55
8.0
58
130
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